《电鳗快报》 文/李万钧

        截至11月24日9:55，露笑科技(002617)已经封在涨停板。该公司两大利好来袭，披露2021年非公开发行预案，拟募资29.4亿元，主要用于投资第三代功率半导体(碳化硅)产业园。同时，该公司还披露了一份重大战略合作协议，合作方东莞天域将优先选用该公司生产的6英寸碳化硅导电衬底，未来3年需求不少于15万片。

        不过，《电鳗快报》关注到，本次增发完成后，露笑集团及一致行动人的持股比例预计最低降至13.48%，控股地位不变，但控制权削弱。

        拟增发募资29.4亿元扩大6英寸产能并研发8英寸产品

        根据预案，露笑科技拟非公开发行股份总数不超过4.81亿股，募集资金总额不超过29.4亿元，扣除发行费用后将用于“第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目”、“大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”和“补充流动资金”项目。

        值得关注的是，露笑科技控股方的持股比例预计降低至13.48%。

        该公司的控股股东露笑集团及鲁小均、李伯英、鲁永为公司实际控制人。目前，露笑集团直接持有露笑科技11.40%股份，其一致行动人鲁小均、李伯英、鲁永三人合计直接持有发行人6.12%股份，合计控制该公司17.52%的股份。假设本次非公开发行股票的实际发行数量为本次发行的上限4.81亿股，则发行完成之后露笑集团的持股比例将稀释为8.77%，鲁小均、李伯英、鲁永合计控制露笑科技股份的比例将稀释为13.48%。露笑集团仍为控股股东，鲁小均、李伯英、鲁永仍为公司实际控制人。

        行业发展前景良好，此时增发扩产恰逢其时。

        目前碳化硅在600伏以上的电力电子领域，如FPC电源、光伏逆变器、新能源汽车的电机控制器、车载充电机、DC-DC及充电桩有很多的应用，且该材料在白色家电、轨道交通、医疗设备、国防军工等领域也会得到越来越多的应用。

        作为宽禁带半导体器件制造的关键原材料，碳化硅衬底材料制造的技术门槛较高，国内能够向企业用户稳定供应6英寸碳化硅衬底的生产厂商相对有限。

        根据产业研究机构YoleDéveloppement(Yole)的相关预测，碳化硅(SiC)功率半导体市场产值到2025年将达到25.62亿美元，该市场在2019年到2025年之间的年复合成长率达到29.59%。因此，广阔的市场前景为本项目实施提供了良好的市场基础。

        据IHS数据，2023年全球碳化硅器件需求有望达16.44亿美元，2017年-2023年复合增速约为26.6%;下游主要应用场景包含EV、快充桩、UPS电源(通信)、光伏、轨道交通以及航天军工等领域，其中电动车行业有望迎来快速爆发，通信、光伏等市场空间较大。伴随碳化硅器件成本下降，全生命周期成本性能优势有望不断放大，潜在替代空间巨大

        扩产24万片产能 东莞天域未来3年锁定15万片

        露笑科技同时披露了控股子公司签订战略合作框架协议的公告，其控股子公司合肥露笑半导体材 料有限公司(以下简称“合肥露笑半导体”)于近日与东莞市天域半导体科技有 限公司(以下简称“东莞天域”)签订了《战略合作协议》，双方将在碳化硅衬底研产合作。

        据协议约定，在满足产业化生产技术要求的同等条件下，东莞天域将优先选用合肥露笑半导体生产的6英寸碳化硅导电衬底，2022年、2023年、2024年需要预留产能不少于15万片，具体数量视实际情况以年度购销合同形式另行约定。

        除产品合作外，双方还将共同协作，在6英寸及以上规格碳化硅导电衬底方面进行产业化应用技术研发合作。

        《电鳗快报》发现，这项战略合作与露笑科技本次29.4亿元增发募投项目紧密相关。其中，最大募投项目“第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目”拟生产的6英寸碳化硅衬底材料，该项目由露笑科技股份有限公司的控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司组织实施，建设期24个月，建设地点为安徽省合肥市长丰县双墩镇双凤路与颍州路交口东南角。

        据称，该项目通过进一步优化工艺技术，项目完成后将形成年产24万片6英寸导电型碳化硅衬底片的生产能力，能够实现对下游客户的稳定批量供应。

        该项目总投资金额为21亿元，本次拟使用募集资金投入19.4亿元，投资主要包括建筑工程、设备购置及安装等。

        在经济效益方面，该项目的财务内部收益率(税后)为11.33%，静态投资回收期(税后，含建设期)为7.64年、。

        目前，该项目的备案、环评及用地等已经落实，已取得相应的土地使用权，取得了长丰县发展改革委的项目备案(项目代码：2011-340121-04-01-159102)与合肥市生态环境局的环评批复(环建审〔2021〕18号)。

        此外，“大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”总投资金额为5亿元，投资主要涉及研发厂房建设、研发设备购置及安装、研发人才引进等研发投入，项目建设期为24个月。该项目将结合半导体产业下游产品需求以及碳化硅材料行业的技术难点和技术路线，重点推进8英寸碳化硅衬底片的技术研发工作。

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